进入20世纪90年代以后，随着我国高新技术的快速发展，计算机工业对大规模集成电路、液晶显示器的需求大量增加；随着新型能源的发展，我国大力开拓了多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的生产；此外，新型电光源、光电半导体器件（GaAs、InP、AlGaAs）、光纤通讯器件也获得迅猛发展，在上述高新产品的生产中，都需要大量高纯气体，以制造出性能可靠的各种器件。

大规模集成电路
化学气相沉淀：SiH₄，NH₃，O₂，N₂O，TEOS（四乙氧基硅）
化学刻蚀：CF₄，SF₆，NF₃，Cl₂，CCl，BCl₃，KrF，ArF，HBr，HCl
化学掺杂：BF₃，B₂H₆，PH₃，AsH₃

液晶屏
化学气相沉淀：SiH₄，SiNx
化学刻蚀：SF₆，HCl，Cl₂

太阳能电池
化学气相沉淀：SiH₄，NH₃，NF₃
扩散、刻蚀：POCl₃，O₂，CF₄

光电半导体
化学气相沉淀：AsH₃，PH₃，NH₃，N₂，H₂
化学刻蚀：BCl₃，Cl₂

光导纤维
化学气相沉淀：SiH₄，SiCl₄，D₂，GeCl₄
化学刻蚀：CF₄，KrF，ArF，Cl₂，SF₆